PCBA学院

MOS管

MOS管也叫场效应管,英文简写为FET,是一种电压控制器件,可以把输入电压的变化转化为输出电流的变化。工作时,只有一种载流子参与导电,所以它是一种单极型器件。

MOS管

一、MOS管的结构

MOS管由4个电极:漏极D,源极S,栅极G和 衬底B构成。MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

blob.png

二、绝缘栅型MOS管工作原理

1、栅源电压uGS的控制作用

当uGS=0V时,漏源之间相当两个背靠背的 二极管,在d、s之间加上电压也不会形成电流,即管子截止。

当uGS>0V时→纵向电场

→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。

再增加uGS→纵向电场↑

→将P区少子电子聚集到

P区表面→形成导电沟道,如果此时加有漏源电压,就可以形成漏极电流id。

blob.png

定义:开启电压( UT)——刚刚产生沟道所需的

栅源电压UGS。

N沟道增强型MOS管的基本特性:

uGS < UT,管子截止,

uGS >UT,管子导通。

uGS 越大,沟道越宽,在相同的漏源电压uDS作用下,漏极电流ID越大。

2、转移特性曲线:    iD=f(uGS)uDS=const

可根据输出特性曲线作出移特性曲线。

例:作uDS=10V的一条转移特性曲线:

blob.png

一个重要参数——跨导gm:

gm=iD/uGS uDS=const      (单位mS)

gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。

在转移特性曲线上,gm为的曲线的斜率。

在输出特性曲线上也可求出gm。

blob.png


联系我们

 地址:广州市增城区新塘镇南安中心路七星工业园E栋

 电话: 020-2821-6069

 传真: 020-8232-4751

 QQ: 181139753

 手机: 18620101507

 Skype: rocky.long830

 邮箱: rocky.long@nodpcba.com

推荐阅读

公司简介

广州市诺的电子有限公司成立于2010年,专业从事PCB电路板制作、SMT贴片加工、DIP插件、PCBA测试、成品组装、包装物流等一站式电子制造服务。公司总占地面积4200㎡,配备4条精端SMT生产线(三星SM471及富士CP8系列)、3条插件生产线、1条成品组装线,通过ISO9001:2008及SGS认证,执行IPC-A-610E电子验收标准,长期为国内外上市公司及知名企业提供专业制造服务。

更多

联系我们

诺的电子 版权所有 2010-2017 粤ICP备10081124号-1

广州市增城区新塘镇南安中心路七星工业园E栋 电话020-28216069 专业PCBA电子产品制造服务商


Powered by MetInfo 6.0.0