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NCSU与德州仪器开发出更高性能的SiC晶体管

2017-09-22 17:25:50 PCBA加工厂家 225

由碳化硅(SiC)和宽带隙半导体构成的功率晶体管,当与二极管组合时可成为一个提供最低温度,最高频率的功率组件,是当今与硅功率晶体管相组合的替代产品。SiC晶体管比硅功率晶体管产生的热量少30%,但到目前为止,SiC的性能是硅的五倍。

SiC晶体管

北卡罗莱纳州立大学(NCSU)教授杰伊•巴利加(Jay Baliga)认为,复杂的SiC工艺使SiC晶体管价格保持高位,这是遇到的一个困难。Baliga和他的研究人员希望通过专业的流程来降低成本来消除这些困难,并设计了制造SiC电子器件(PRESiCE)的工艺流程,并与德州仪器的X-Fab合作实施。研究人员将在星期五(9月22日)的国际碳化硅及相关材料会议(华盛顿特区)上发表一篇文章。

根据Baliga的说法,PRESTICE不仅是开发SiC工艺的一种较低成本的替代方法,而且比老式的工艺更有效率。低的制造成本将使SiC晶体管更有竞争力,从而增加SiC生产。反过来,这将降低SiC的价格。

除了在较低的温度下运行,SiC功率器件可以在更高的频率下切换,从而允许电力电子设备使用较小的电容器,电感器和其他无源器件,并允许设计人员以更小的重量将更多的冲击打包成更小的空间。Baliga说,PRESiCE可以实现高产率和严格控制的SiC器件的性能。

为了证明这一概念,研究人员在德州仪器的X-Fab中使用PRESiCE,通过制造SiC功率MOSFET,ACCUFET和接合势垒控制肖特基(JBS)整流器来制造1.2 kV电源。功率MOSFET结构中的JBS回扫整流器创建了功率JBSFET,可以节省40%的芯片面积,并将封装数量减半。



标签:   NCSU SiC晶体管 德州仪器

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